近年來，UV LED的產(chǎn)品功率得到極大的提升，技術也進一步發(fā)展。憑借使用壽命較長、體積小、光輸出均勻且省電等優(yōu)勢，再加上國際禁用水銀(汞)的《水俁公約》在2013年簽署通過后，離全面禁用水銀的2020年時間只剩下三年，包括日本、中國 、歐盟等多個市場正需要UV LED來替換紫外線水銀燈管，這也加速刺激了UV LED市場在全球各地的起飛。

　　根據(jù)TrendForce LED研究中心(LEDinside)最新發(fā)布的《2017 紫外線 LED 與模塊應用市場報告》顯示，紫外線 LED產(chǎn)品持續(xù)積極開展于各應用之中，加上水俁公約、節(jié)電優(yōu)惠等政策推廣，LEDinside預估UV LED市場產(chǎn)值于2017年將成長至2.88億美金;2020年將會到達5.26億美金，2015-2020 年復合成長率達34%。

　　可以預見到，UV LED極具發(fā)展的潛力，市場商機無限。因此，UV LED將成國內(nèi)外企業(yè)加速布局的一個項目，UV LED市場將迎來爆發(fā)。回顧2017年，國內(nèi)外企業(yè)對UV LED做了哪些布局?技術有何進展?為此，LEDinside對2017年UV LED的相關事件做了簡單的整理，以饗讀者。

　　【企業(yè)動態(tài)】

　　砸4.86億元!臺塑化攜手日機裝發(fā)展UV-LED

　　2017年1月25日，臺塑化宣布與日商日機裝(Nikkiso)攜手發(fā)展UV-LED事業(yè)，生產(chǎn)深紫外光LED(Deep UV LED)晶粒及銷售深紫外光應用產(chǎn)品，該合作案將聚焦于水殺菌、空氣殺菌、樹脂固化及分析設備等。

　　據(jù)了解，先前Nikkiso規(guī)劃先臺塑化設立合資公司，由Nikkiso取得合資公司51%股權，該UV-LED廠的設備投資額80億日元(折合人民幣約4.86億元)，雙方將會用臺塑所擁有的半導體、照明用LED量產(chǎn)技術及現(xiàn)有設備，強化成本條件，預期合作順利啟動后，屆時封裝、測試業(yè)務可望由臺塑集團旗下福懋科負責。

　　助力UV-CLED器件開發(fā)，歐司朗與HexaTech簽戰(zhàn)略協(xié)議

　　2017年2月15日，全球領先的AlN單晶基板供應商HexaTech公司宣布，公司與德國雷根斯堡的歐司朗光電半導體有限公司簽署兩項戰(zhàn)略協(xié)議。這些協(xié)議包括長期供應協(xié)議和若干HexaTech的知識產(chǎn)權(IP)許可，其中，前者涉及作為HexaTech公司2英寸(直徑)基板開發(fā)項目的直接支持的氮化鋁(AlN)基板。對HexaTech的氮化鋁(AlN)基板的長期供應承諾，直接支持HexaTech的2英寸(直徑)基板開發(fā)計劃，以及授權某些HexaTech知識產(chǎn)權(IP)。HexaTech首席執(zhí)行官John Goehrke表示，通過授權HexaTech的技術，歐司朗能夠加速其基于HexaTech材料的UV-CLED器件開發(fā)。

　　日本德山與斯坦利擴大在UV LED領域的合作

　　2017年2月，日本化學大廠德山(Tokuyama)與日本電氣設備大廠斯坦利電氣(Stanley Electric)決定，在深紫外線LED領域擴大合作，德山維持深紫外線LED材料研發(fā)，而晶圓生產(chǎn)、封裝、與產(chǎn)品制造銷售等業(yè)務，由Stanley Electric負責。德山的深紫外線LED晶圓生產(chǎn)線及專利，均轉(zhuǎn)讓給StanleyElectric。

　歐司朗收購LED EnginInc.，特種照明布局再下一城

　　2017年6月6日，歐司朗發(fā)布通告，公司將收購位于美國加利福尼亞州圣荷西的LED供應商LED EnginInc.。LED Engin是一家專注于提供適用于娛樂照明、紫外線、園藝、可調(diào)白光和醫(yī)療照明應用等專業(yè)市場的超亮、超緊湊的固態(tài)照明解決方案，其產(chǎn)品主要采用歐司朗光電半導體的LED芯片。

　　其中，在紫外線產(chǎn)品上，LED Engin為工業(yè)應用(如印刷，固化和牙科市場)提供強大的UV LED。

　　RayVio攜手Digi-Key Electronics，推進UV LED技術

　　8月底，先進的公眾健康和衛(wèi)生公司RayVio簽訂新的經(jīng)銷協(xié)議，其UVB和UVC LED，將可透過全球電子元件經(jīng)銷商 Digi-Key Electronics 向全球立即出貨。

　　歐司朗牽頭成立研究小組開發(fā)高功率UV LED

　　12月初，歐司朗光電半導體(OSRAM Opto Semiconductors)表示，目前正牽頭一個由德國政府出資的研究小組，共同開發(fā)一款高功率、面向大眾市場的紫外(UV)LED芯片。其希望在2020年前開發(fā)一款250 nm波長到310 nm左右的原型，涵蓋部分UV-B和UV-C光譜。歐司朗表示，新的高功率芯片“也有可能開辟新的應用領域”。

　　【技術進展】

　　日機裝更大功率UV LED應用在凈水系統(tǒng)上

　　在Nepcon Japan 2017年展覽上，日機裝技研的技術領導人宮內(nèi)淳表示，日機裝目前的技術已經(jīng)把標準品的規(guī)格，從30mW提升到45mW，在順方向電壓，6V的情況下，已經(jīng)成功地把UV紫外線光取出效率給提升了，熱抵抗值也從15K/W變成7K/W。

　　據(jù)悉，日裝機采用AlGaNon Sapphire技術，并將于2017年推出285nm波長的UV-CLED，于350mA、6V之下可達到45mW，透過使用反射層，熱阻可降為7K/W。

　　美團隊研發(fā)高效深紫外LED，創(chuàng)業(yè)界最低波長紀錄

　　今年3月，美國康乃爾大學的研究團隊，研發(fā)出一種體積小且更環(huán)保的深紫外線LED光源，并創(chuàng)下目前業(yè)界deep-UV LED最低波長的紀錄。研究人員采用原子級控制界面的氮化鎵(GaN)與氮化鋁(AlN)單層薄膜為反應作用區(qū)域，成功發(fā)射出波長介于232到270奈米的深紫外LED。這種232奈米的深紫外線，創(chuàng)下使用氮化鎵為發(fā)光材料，所發(fā)出的光線波長最短記錄。之前的記錄是由日本團隊創(chuàng)下的239奈米。

　　國星光電通過特殊成型工藝可提高紫外LED光功率

　　針對市場提高光功率的要求，國星在2017年光亞展期間全新推出了具有高性價比、高光功率的一次透鏡成型紫外LED。據(jù)介紹，其在原有的TOP支架基礎上，通過特殊成型工藝增加半球透鏡，最高可提高60%的紫外LED光功率，保證產(chǎn)品在使用過程中表現(xiàn)更出色。

　　LG Innotek研發(fā)出全球首個“100mW”殺菌紫外線UV-C LED

　　LG Innotek研發(fā)出全球首個殺菌紫外線UV(Ultraviolet rays，紫外線)-C LED，輸出功率可高達100毫瓦(mW)。LG Innotek應用光輸出最大化的外延結(jié)構(gòu)及垂直芯片技術，打破了技術限制。提高紫外線輸出，有效排放熱，確保了穩(wěn)定的品質(zhì)可行性。100mW 1個LED可以放射強力殺菌紫外線達1萬小時以上。

　　青島杰生再次實現(xiàn)技術突破，成功推出3瓦UV-C LED燈

　　12月22日，圓融杰生再次宣布推出3瓦級別的超大輸出功率275納米UV-C深紫外LED燈。經(jīng)過國標校準的積分球測試，該275納米UV-C深紫外LED燈的光輸出功率在3.6安培直流電下達到3瓦光輸出功率。預計此3瓦級別的UV-C LEDs燈的工作壽命可以達到5000小時。